АвторыК.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
ИздательствоЛаборатория знаний
Тип изданиямонография
Год издания2017
Скопировать биб. запись
Для каталогаТаперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов - Москва : Лаборатория знаний, 2017. - 307 с. - ISBN 978-5-00101-445-4. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785001014454.html (дата обращения: 29.03.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.